RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
45
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2283
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link