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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.0
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2283
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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