RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2283
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link