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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
23
读取速度,GB/s
10.6
18.4
写入速度,GB/s
6.8
13.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3387
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
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InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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