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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM3X1G1333C9 1GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
48
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
48
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
1438
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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