Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM3X1G1333C9 1GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global
star star star star star
Corsair CM3X1G1333C9 1GB

Corsair CM3X1G1333C9 1GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 48
    En -85% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.3 left arrow 5.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    48 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.9 left arrow 10.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.9 left arrow 6.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1420 left arrow 1438
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones