Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM3X1G1333C9 1GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Pontuação geral
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Corsair CM3X1G1333C9 1GB

Corsair CM3X1G1333C9 1GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 48
    Por volta de -85% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    10.6 left arrow 8.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    6.3 left arrow 5.9
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    48 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    8.9 left arrow 10.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.9 left arrow 6.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1420 left arrow 1438
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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