RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
48
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2982
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link