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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
総合得点
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
48
周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
8.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
35
読み出し速度、GB/s
8.9
17.0
書き込み速度、GB/秒
5.9
12.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1420
2982
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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