RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
48
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
35
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2982
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation M424051 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link