RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
48
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3596
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link