RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3596
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link