RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
48
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2987
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link