RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
48
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
32
Velocità di lettura, GB/s
8.9
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2987
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G2139U2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link