RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
48
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2987
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link