Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Unterschiede

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 48
    Rund um -50% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.7 left arrow 8.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 5.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 10600
    Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    48 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.9 left arrow 15.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 13.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1420 left arrow 3322
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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