Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 48

Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.7 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 32
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 15.7
Скорость записи, Гб/сек

5.9 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 3322

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

модули RAM