RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2912
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link