RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
48
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3366
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link