RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
48
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
28
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3366
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link