RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
48
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3366
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link