RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3322
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link