RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
48
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2017
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link