RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
48
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2017
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link