RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
48
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2664
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link