RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
48
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
36
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2664
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link