Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gesamtnote
star star star star star
AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 47
    Rund um -74% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 9.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 5.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    47 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 14.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 9.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1413 left arrow 2272
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche