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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
47
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
47
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2272
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
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