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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
47
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
47
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
9.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
2272
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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