RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
47
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3285
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link