RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
47
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3285
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link