Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 47

Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 9.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 33
Скорость чтения, Гб/сек

9.3 17.8
Скорость записи, Гб/сек

5.9 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1413 3285

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB

модули RAM