RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
47
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3029
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link