RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
41
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
2665
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link