Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    34 left arrow 41
    Intorno -21% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.3 left arrow 13.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 9.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 12800
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 34
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.3 left arrow 17.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 12.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2016 left arrow 2665
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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