RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
41
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
2665
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link