RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
41
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
3483
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link