Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    20 left arrow 41
    Wokół strony -105% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19.5 left arrow 13.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    15.8 left arrow 9.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    41 left arrow 20
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 19.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 15.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2016 left arrow 3483
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania