RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
41
Intorno -105% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
20
Velocità di lettura, GB/s
13.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
3483
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link