RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
40
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2915
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link