RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
40
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
38
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2915
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link