RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
40
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2915
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ20UF8BCF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link