RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
31
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2271
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link