RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2271
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link