RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
31
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
31
Velocità di lettura, GB/s
10.6
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2271
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link