RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
30
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3063
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link