RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3063
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link