RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3552
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link