RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
28
读取速度,GB/s
10.6
18.6
写入速度,GB/s
6.8
15.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3552
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link