RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
41
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1348
3083
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link